Усилитель корректор

Тип работы:
Реферат
Предмет:
Радиоэлектроника


Узнать стоимость новой

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

року міністерство освіти Російської Федерации

ТОМСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛІННЯ І РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

(ТУСУР)

Кафедра радіоелектроніки та інформації (РЗИ)

Підсилювач корректор.

Пояснювальна записка до курсовому проекту з дисципліни «Схемотехника аналогових електронних устройств»

Виконав студент гр. 148−3

КузнецовА.В. _______

Проверил

Викладач каф. РЗИ

ТитовА.А. __________

2001

Реферат

ВИСОКА ЧАСТОТА (ВЧ), НИЗЬКА ЧАСТОТА (НЧ), КОЕФІЦІЄНТ ПОСИЛЕННЯ (КУ),

КОРИГУВАЛЬНА ЛАНЦЮГ (КЦ), АПЛИТУДНОЧАСТОТНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА (АЧХ).

Метою згаданої роботи є підставою засвоєння методики розрахунку аналогових підсилюючих устройств.

У цьому роботі проводився розрахунок широкосмугового підсилювача з нахилом АЧХ для коригування вхідного сигнала.

Курсова робота виконано текстовому редакторі Microsoft Word 7. 0, (представлена на дискете).

Технічне задание

Тема проэкта: широкосмуговий усилитель-корректор

1. Диапазон частот від 20МГц до 400МГц

2. Допустимые частотні спотворення у сфері НЧ 3дБ, в ВЧ 3 дБ

3. Источник вхідного сигналу 50 Ом

4. Амплитуда напруги не вдома 3В

5. Характер й розмір навантаження 50 Ом

6. Условия експлуатації +10-+60 С

7. Додаткові вимоги: Зі збільшенням частоти коэфициент посилення має зростати з підйомом з 30дБ до 33дБ

1. Введение… … …5 2. Определение числа каскадів …6 3. Распределение спотворень у сфері високих частот…6 4 Розрахунок кінцевого каскада…6 4.1 Розрахунок робочої точки…6 4.2 Вибір транзистора… …7

4.3 Розрахунок еквівалентній схеми транзистора… 8

4.4 Розрахунок ланцюгів харчування і термостабилизации… …9

4.5 розрахунок елементів високочастотної коррекции… 12 5 Розрахунок предоконечного каскада… 15 6 Розрахунок вхідного каскада… … 16 7 Розрахунок блокировочных і розділювальних емкостей. … … 19 8 Технічна документация… …21 9 Заключение… … …23 10 Литература… 24

1. Введение

У цьому курсової роботі потрібно розрахувати коригувальний підсилювач з підйомом амплитудно-частотной характеристики. Необхідність посилювати сигнал, виникає тому, що досить великі втрати у кабелі. До того ж втрати значно зростають зі зростанням частоты.

А, щоб компенсувати ці втрати сигнал після прийому попередньо посилюють, та був направляють далі за кабелю. У цьому підсилювач повинен мати підйом АЧХ у сфері високих частот. У цьому роботі вимагалося забезпечити підйом рівний 3дБ на октаву.

Під час проектування підсилювача основний трудністю є забезпечення заданого посилення у робітничій смузі частот. У разі смуга частот становить 20−400 МГц

Задля реалізації широкосмугових підсилюючих каскадів з заданим підйомом амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) кращим є використання диссипативной коригуючої ланцюга четвертого порядку [1].

2 Визначення числа каскадов

Задля більшої заданого коефіцієнта посилення рівного 30 дБ при коефіцієнті посилення транзистора близько 10дБ, приймемо число каскадів підсилювача однакову 3.

3 Розподіл спотворень у сфері високих частот

Розраховуючи підсилювач будемо свідомі те, що спотворення внесені корректирующими ланцюгами каскадів становить 1,5 дБ, а спотворення внесені вихідний коригуючої ланцюгом становить 1 дБ, тоді спотворення внесені підсилювачем не перевищать 2,5 дБ.

4 Розрахунок кінцевого каскада

4.1 Розрахунок робочої точки

Розрахуємо робочу точку транзистора для резистивного і дроссельного каскаду використовуючи формулы:

[pic],

(4. 1) де [pic] амплітуда напруги не вдома усилителя,[pic]сопротивление нагрузки.

[pic] Вт;

[pic];

(4. 2)

[pic] А;

[pic],

(4. 3) де [pic] струм робочої точки

[pic] Щодо резистивного каскада;

[pic] А;

[pic]А для дроссельного каскада;

[pic] А;

[pic],

(4. 4) де [pic]напряжение робочої точки, а [pic].

[pic]В;

[pic];

(4. 5)

[pic] - Вт рассеиваемая потужність для резистивного каскада;

[pic] - Вт рассеиваемая потужність для дроссельного каскада;

[pic],

(4. 6) де [pic] напруга харчування каскада;

[pic] У — для резистивного каскада;

[pic]В — для дроссельного каскада;

[pic];

(4. 7)

[pic] Вт — для резистивного каскада;

[pic] Вт — для дроссельного каскаду. Принципова схема резистивного каскаду представлена малюнку 4.1. 1, а еквівалентна схема по перемінному току малюнку 4.1. 1, б, дроссельного каскаду малюнку 4.1. 2, а та її еквівалентна схема по перемінному току малюнку 4.1. 2, б. а) б)

Малюнок 4.1. 1

а) б)

Малюнок 4.1. 2

Здесь [pic] опір навантаження, [pic]разделительная ємність. Результати обчислень: | |[pic],|[pic],|[pic], мВт |[pic], мВт |[pic], мА | | |У |У | | | | | з [pic] |11,6 |5 |660 |1531 |132 | | з [pic] |5 |5 |330 |330 |66 |

4.2 Вибір транзистора. Нагрузочные прямые

При виборі транзистора слід врахувати граничні значення транзистора [pic], [pic],[pic],[pic].

[pic] В;

[pic] Щодо резистивного каскада;

[pic] Щодо дроссельного каскада;

[pic] Вт для резистивного каскада;

[pic] Вт для дроссельного каскада;

[pic] Ггц. | |[pic],|[pic], мВт |[pic], ГГц |[pic], мА | | |У | | | | | з [pic] |6 |660 |1,7−4 |158 | | з [pic] |6 |330 |1,7−4 |79 |

Свій вибір зупинимо на транзисторі КТ939А граничні допустимі значення якого цілком відповідають вищевказаним требованиям.

Необхідні довідкові дані транзистора КТ939А [2]. [pic]=18 У ,[pic]=0,4 А ,[pic]=4 Вт ,[pic]=3060 МГц, [pic]=4,6 пс, [pic]=6,04 пФ при [pic]=5 У, [pic]=113, [pic] нГн, [pic] нГн.

Побудуємо нагрузочные прямі обох описаних вище каскадів. а) б)

Малюнок 4. 2

З вищевказаних результатів обчислень, доцільніше всього застосовувати дроссельный каскад, бо за використанні дроссельного каскаду менше напруга харчування, рассеиваемая потужність, і навіть споживана потужність (що дуже существенно).

4.3 Розрахунок еквівалентній схеми транзистора

Розрахунок каскаду грунтується на застосуванні еквівалентній схеми заміщення транзистора [3] малюнок 4.3. 1, а ,і навіть односпрямованої схеми замещения[4] малюнок 4.3. 1, б. а) б)

Малюнок 4.3.1 Тут [pic] провідність базы

[pic],

(4. 8) де [pic]постоянная часу ланцюга зворотний зв’язок (табличное значення), [pic]ёмкость коллекторного переходу (табличное значение),[pic] провідність база-эмиттер

[pic] См;

[pic],

(4. 9) де [pic] опір эмиттера

[pic],

(4. 10) де [pic] струм робочої точки, [pic] статичний коефіцієнт передачі струму з загальним эмиттером.

[pic]Ом;

[pic] См;

[pic],

(4. 11) де [pic] гранична частота транзистора.

[pic]пФ;

[pic] вхідні индуктивность, де [pic] [pic] индуктивность базовий і эмиттерного висновків соответственно;

[pic] нГн;

[pic]=[pic]; [pic]выходное опір транзистора

[pic],

(4. 12) де [pic] і [pic] допустимі параметри транзистора.

[pic] Ом;

[pic]. З розрахунку також використовується параметр [pic], (4. 13) де [pic] верхня частота усилителя;

[pic].

4.4 Розрахунок ланцюгів харчування і вибір схеми термостабилизации

Розглянемо три варіанта схем термостабилизации: эмиттерную, пасивну коллекторную та активну коллекторную і зробимо їм розрахунок. Схема эмиттерной термостабилизации представлена малюнку 4.4.1.

Малюнок 4.4. 1

Здесь[pic],[pic] задають усунення напруги з урахуванням транзистора, [pic] елемент термостабилизации, [pic] шунтирует [pic] по перемінному току.

[pic],

(4. 14)

где [pic] падіння напруги на резисторе[pic] приймемо [pic]=4 В.

[pic] Ом;

[pic];

(4. 15)

[pic] В,

[pic];

(4. 16)

[pic];

(4. 17) де [pic]ток базового делителя;

[pic].

[pic] А;

[pic] Ом;

[pic] Ом;

[pic];

(4. 18)

[pic]мкГн. Схема пасивної коллекторной термостабилизации представлена малюнку 4.4.2.

Малюнок 4.4. 2

Здесь [pic] здійснює усунення напруги, і навіть використовують у ролі елемента термостабилизации.

Приймемо [pic]=[pic];

[pic],

(4. 19)

де [pic];

(4. 20)

[pic] А;

[pic] КОм;

[pic];

(4. 21)

[pic]8,3 В.

Розглянемо схему активної коллекторной термостабилизации [5].

Малюнок 4.4. 3

У цьому схемою транзистор VT2 використовують у ролі елемента термостабилизации. Струм колектора VT2 базове струмом усунення. Тут [pic],[pic]-базовый дільник для транзистора VT2, [pic]предотвращает генерацію в каскаде.

[pic]>1 У, приймемо [pic]=1 В;

[pic];

(4. 22)

[pic] Ом;

[pic];

(4. 23)

[pic] В;

[pic],

(4. 24) де [pic] струм колектора транзистора VT1, [pic] статичний коефіцієнт передачі струму із загальним эмиттером транзистора VT1 [pic]-ток базового усунення транзистора VT1.

[pic] А;

[pic],

(4. 25) де [pic]- струм колектора транзистора VT2.

[pic],

(4. 26) де [pic],[pic]-напряжения робочої точки транзистора VT1 і VT2.

[pic] В;

[pic];

(4. 27)

[pic]Ом;

[pic];

(4. 28)

[pic];

(4. 29)

где [pic] Ом;

[pic]Ом;

[pic]Ом.

Для даного каскаду схема эмиттерной термостабилизации більш прийнятна, ніж інші. По-перше, вона забезпечує високу стабільність, по-друге, вона часто реалізується, бо містить мале кількості елементів, по-третє, цю схему застосовується для малопотужних каскадов.

4.5 Розрахунок елементів високочастотної коррекции

Оскільки потрібно реалізувати підсилювач з підйомом АЧХ, то необхідно застосування диссипативной межкаскадной коригуючою ланцюга четвертого порядку [1]. Принципова схема підсилювача з межкаскадной коригуючою ланцюгом четвертого порядку приведено малюнку 4.5. 1, а, еквівалентна схема по перемінному току — малюнку 4.5. 1, б.

а) б)

Малюнок 4.5. 1

Коефіцієнт посилення каскаду на транзисторі VT2 у сфері верхніх частот можна описати выражением:

[pic], (4. 30) де [pic], коэффициент посилення каскаду (4. 31)

[pic];

[pic];

[pic];

[pic];

[pic];

[pic]; RВХН -нормоване вхідний опір транзистора VT2; [pic], [pic],

[pic], [pic], [pic] - нормовані щодо [pic] і [pic] значення елементів L1, R2, C3, C4, L5, відповідні реформованій схемою КЦ, у якій значення СВХ2 одно нескінченності; СВЫХ1 — вихідна ємність транзистора T1; [pic]; [pic] - нормована частота; [pic] - поточна кругова частота; [pic] - вища кругова частота смуги пропускання розроблюваного підсилювача. Для розрахунку елементів коригуючою ланцюга потрібно скористатися таблицею 9.1 наведеної у [5]. Оконечный каскад реалізуємо з підйомом в 3дБ, а предоконечный і вихідний з підйомом в 0 дБ спотворення кожного [pic]=[pic] дБ. Оскільки до розрахунку потрібно знати [pic]транзистора VT2 то потрібно зробити вибір транзистора предоконечного каскаду. Свій вибір зупинимо на транзисторі КТ939А. Опір виходу цього транзистора нам відомо Для розрахунку елементів скористаємося формулами:

[pic];

(4. 32)

З допомогою таблиці отримані такі нормовані значення елементів. [pic]=1,68,[pic]=0,842,[pic],=4,99,[pic]=4,62,[pic]=0,234.

[pic],

[pic];

(4. 33)

[pic];

[pic];

[pic];

Денормируя отримані значення, определим:

[pic]=[pic]=57 нГн;

[pic]=[pic]=71,5 Ом;

[pic]=[pic]=18 пФ;

[pic]=8,3 пФ;

[pic]=13 нГн.

У підсилюючих каскадах розширення смуги пропускання пов’язані з втратою частини вихідний потужності резисторах коригувальних ланцюгів (КЦ) або ланцюгів зворотний зв’язок. Від вихідних каскадів підсилювачів потрібно, як правило, отримання максимально можливої вихідний потужності заданої смузі частот. З теорії підсилювачів відомо, що з виконання зазначеного вимоги необхідно реалізувати ощущаемое опір навантаження для внутрішнього генератора транзистора рівним постійної величині в усьому робочому діапазоні частот. Цього досягти, включивши вихідну ємність транзистора в фільтр нижніх частот, вживаний у ролі вихідний КЦ. Схема включення вихідний КЦ приведено малюнку 4.5.2. а) б)

Малюнок 4.5. 2

Використання фільтра нижніх частот як вихідний КЦ при одночасному розрахунку елементів L1, C1 за методикою Фано дозволяє забезпечити мінімально можливе, відповідне заданим CВЫХ і fB, значення максимальної величини модуля коефіцієнта відображення [pic] в смузі частот від нуля до fB.

Знаходимо коефіцієнт [pic] по формуле:

[pic];

(4. 34)

[pic]; Далі знаходимо за таблицею 7.1 приведённой в [1] значення [pic], [pic], [pic],[pic], відповідні коефіцієнта [pic]: [pic], [pic], [pic], [pic]. Справжні значення елементів розраховуються по формулам:

[pic];

(4. 35)

[pic].

5 Розрахунок предоконечного каскада

Розрахунок робочої точки предоконечного каскаду проводиться у разі тим ж формулам як і оконечный, лише струм робочої точки обчислюється по формуле

[pic],

(5. 1) де [pic]-ток робочої точки вихідного каскаду, а [pic]-коэффициент посилення вихідного каскада,

[pic]А;

[pic]В;

[pic] мВт. Зробимо розрахунок схем заміщення по формулам (4. 8−4. 13).

[pic] См;

[pic]Ом;

[pic] См;

[pic]пФ;

[pic] Ом. Зробимо розрахунок схеми термостабилизации й ланцюги харчування. У цьому вся каскаді також застосована эмиттерная термостабилизация. Для розрахунку використовуємо формули (4. 14−4. 18).

[pic]=4 В;

[pic] Ом;

[pic] В;

[pic] А;

[pic] Ом;

[pic] Ом.

Для розрахунку межкаскадной коригуючої ланцюга четвертого порядку виберемо транзистор вхідного каскаду. У вхідному каскаді використовується транзистор КТ939А. Дані з таблиці для каскаду з підйомом в 0 дБ з спотворенням [pic]=[pic] дБ. Для розрахунку використовуємо формули (4. 30−4. 33). [pic]=2,22,[pic]=1,11,[pic],=5,23,[pic]=3,69,[pic]=0,291;

[pic];

[pic];

[pic];

[pic]; Денормируя отримані значення, определим:

[pic]=[pic]=75нГн;

[pic]=[pic]=94,3 Ом;

[pic]=[pic]=18 пФ;

[pic]=6,1 пФ;

[pic]=16,1 нГн;

[pic]мкГн.

На малюнку 5.1 представлена електрична схема каскада.

Малюнок 5. 1

6 Розрахунок вхідного каскада.

Розрахунок вихідного каскаду проводиться у разі тим самим формулам що і оконечный.

[pic]А;

[pic]В;

[pic] мВт. У цьому каскаді використовується транзистор КТ939А. Розрахунок еквівалентних схем заміщення зробимо по формулам (4. 8−4. 13):

[pic] См;

[pic]Ом;

[pic] См;

[pic]пФ;

[pic] Ом.

Зробимо розрахунок схеми термостабилизации й ланцюги харчування. У цьому вся каскаді застосована эмиттерная термостабилизация. Для розрахунку використовуємо формули (4. 14−4. 18).

[pic]=4 В;

[pic] Ом;

[pic] В;

[pic] А;

[pic] Ом;

[pic] Ом.

Розрахунок вхідний коригуючою ланцюга четвертого порядка.

Цей розрахунок відрізняється відсутністю вихідний ємності джерела сигналу тому розрахунок спрощується. Для розрахунку використовуємо формули (4. 30- 4. 33). Дані з таблиці для каскаду з підйомом в 0 дБ з спотворенням [pic]=[pic]дБ

[pic]=2,22,[pic]=1,11,[pic],=5,23,[pic]=3,69,[pic]=0,291.

[pic],

[pic]

[pic]; Денормируя отримані значення, определим:

[pic]=[pic]=44нГн;

[pic]=[pic]=55,5 Ом;

[pic]=[pic]=41,6 пФ;

[pic]=29 пФ;

[pic]=5,8 нГн;

[pic]мкГн. На малюнку 6.1 представлена електрична схема каскада.

Малюнок 6. 1

7 Розрахунок розділювальних і блокировочных ёмкостей

Розрахуємо максимальні спотворення, внесені розділовими і блокировочными ёмкостями у сфері низьких частот. Оскільки значення спотворень поставлено 1,5 дБ то, на розділювальні і блокувальні ёмкости має доводиться спотворень по 0,75 дБ. Розрахуємо спотворення що припадає на кожну ёмкость і переведём цих значень в разы.

[pic];

[pic]; Розрахуємо розділювальні ёмкости за такою формулою [3]:

[pic],

(7. 1) де [pic] нижня гранична кругова частота, [pic] вихідний опір джерела сигнала,[pic] вхідний опір приемника.

[pic] пФ;

[pic]пФ;

[pic]пФ; Зробимо розрахунок блокировочных ємностей за такою формулою [3]:

[pic],

(7. 2) де [pic] крутість транзистора, [pic] опір термостабилизации.

[pic], где

[pic];

[pic]мА/в;

[pic] мА/в;

[pic] мА/в;

[pic] мА/в;

[pic] нФ;

[pic] нФ;

[pic]нФ.

Для зменшення спотворень послідовно з розділової ємністю ввімкнемо додаткове опір паралельно ємності [pic] коригуючою ланцюга каскаду. Додаткове опір вираховується по формуле:

[pic],

(7. 3) де [pic]сопротивление навантаження для кінцевого каскаду і сопротивление[pic] інших каскадов.

[pic]Ом;

[pic]Ом;

[pic] Ом. Також ввімкнемо [pic] послідовно з опором ланцюга корекції [pic] із боку землі. Додаткову ємність ввімкнемо лише у оконечному і предоконечному каскаду:

[pic];

(7. 4)

[pic] пФ.

[pic] нФ;

| | |[pic] | | | | | | | | | | | | | |РТФ КП 468 730. 001. ПЗ | | | | | | | | | | | | | | |Літ |Маса |Масштаб | |Из|Лис|Nдокум. |Подп. |Дата| | | | | | | |м |т | | | | | | | | | | |Выполн|Кузнецов | | |УCИЛИТЕЛЬ-КОРРЕКТОР | | | | | | |мул | | | | | | | | | | |Провер|Титов | | | | | | | | | |мул | | | | | | | | | | | | | | | |Ліст |Листов | | | | | | |ТУСУР РТФ | | | | | |Принципова |Кафедра РЗИ | | | | | |Схема |грн. 148−3 | |Позиційні |Найменування |Кол|Примечание | |позначення | | | | | |Конденсатори ОЖ0. 460. 203 ТУ | | | |С1 |КД-2−750пФ (5% |1 | | |С2 |КД-2−39пФ (5% |1 | | |С3 |КД-2−30пФ (5 |1 | | |С4 |КД-2−2нФ (5% |1 | | |C5,С13,С16 |КД-2−8,2пФ (5% |3 | | |С6,С11 |КД-2−470пФ (5% |2 | | |С7,с12 |КД-2−18пФ (5% |2 | | |С8 |КД-2−6,2пФ (5% |1 | | |С9 |КД-2−15нФ (5% |1 | | |С10 |КД-2−1,1нФ (5% |1 | | |С14 |КД-2−30нФ (5% |1 | | |С15 |КД-2−290пФ (5% |1 | | | |Індуктивності | | | |L1 |Индуктивность 44нГн (10% |1 | | |L2 |Индуктивность 5,8нГн (10% |1 | | |L3 |Индуктивность 2,21мкГн (10% |1 | | |L4 |Индуктивность 75нГн (10% |1 | | |L5 |Индуктивность 16нГн (10% |1 | | |L6 |Индуктивность 3,75мкГн (10% |1 | | | |(10(10% | | | |L7 |Индуктивность 57нГн (10% | | | |L8 |Индуктивность 13нГн (10% | | | |L9 |Индуктивность 2мкГн (10% | | | |L10 |Индуктивность 19нГн (10% | | | | |Резисторы ГОСТ 7113–77 | | | |R1 |МЛТ-0,125−56Ом (10% |1 | | |R2,R8 |МЛТ-0,125−2,4кОм (10% |2 | | |R3 |МЛТ-0,125−7,5кОм (10% |1 | | |R4 |МЛТ-0,125−6,2кОм (10% |1 | | |R5 |МЛТ-0,125−470Ом (10% |1 | | |R6 |МЛТ-0,125−91Ом (10% |1 | | |R7 |МЛТ-0,125−6,8кОм (10% |1 | | |R9 |МЛТ-0,125−2кОм (10% |1 | | |R10 |МЛТ-0,125−150Ом (10% |1 | | |R11 |МЛТ-0,125−68Ом (10% |1 | | |R12 |МЛТ-0,125−430Ом (10% |1 | | |R13 |МЛТ-0,125−1кОм (10% |1 | | |R14 |МЛТ-0,125−820Ом (10% |1 | | |R15 |МЛТ-0,125−60Ом (10% |1 | | | |Транзистори | | | | V1, V2,V3 |КТ939А |3 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |РТФ КП 468 730. 001 ПЗ | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |Літ |Маса |Масштаб | | | |Изм|Лист|Nдокум. |Подп. |Дата| | | | | | | |Выполнил|Кузнецо| | |УСИЛИТЕЛЬ-корректор | |У| | | | | | |в | | | | | | | | | | |Провер. |Титов | | | | | | | | | | | | | | | |Ліст |Листов | | | | | | | | | | |ТУСУР РТФ | | | | | | | | | | |Перелік елементів |Кафедра РЗИ | | | | | | | | | | | |грн. 148−3 | | | | | |

9 Заключение

Розрахований підсилювач має такі технічні характеристики:

1. Робоча смуга частот: 20−400 МГц 2. Лінійні спотворення у сфері НЧ трохи більше 3 дБ у сфері ВЧ трохи більше 3 дБ 3. Коефіцієнт посилення 32дБ з підйомом АЧХ 3 дБ 4. Амплітуда вихідного напруги Uвых=3 У 5. Харчування однополярное, Eп=9 У 6. Діапазон робочих температур: від +10 до +60 градусів Цельсія Підсилювач вміщує навантаження Rн=50 Ом

Підсилювач має запас щодо посилення 2дБ, це треба задля здобуття права у разі погіршення, параметрів окремих елементів коефіцієнт передачі підсилювача не опускався нижче рівня, певного технічним заданием.

10 Литература

1. Титов А. А. Розрахунок коригувальних ланцюгів широкосмугових підсилюючих каскадів на польових транзисторах — internet

2770. zip

2. Напівпровідникові прилади. Транзистори середньої та великої мощности:

Справочник/А.А. Зайцев та інших. Під ред. А. В. Голомедова. -М.: Радіо и

Зв’язок, 1989. -640 с. :Ил.

3. Мамонкин І.П. Підсилювальні устройства: Учебное посібник для вузов. -

М. :Связь, 1977

4. Титов А. А. Розрахунок межкаскадной согласующей ланцюга транзисторного полосового підсилювача мощности. //Электронная техніка. Сер. СВЧ-техника.

Вип. 1(475) 2000 г.

5. Титов А. А. Розрахунок коригувальних ланцюгів широкосмугових підсилюючих каскадів на біполярних транзисторах — internet

2764. zip ----------------------- Uвх

VT1

[pic]

[pic]

[pic]

Lвх

[pic]

[pic]

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой